(495) 925-0049, ITShop интернет-магазин 229-0436, Учебный Центр 925-0049
  Главная страница Карта сайта Контакты
Поиск
Вход
Регистрация
Рассылки сайта
 
 
 
 
 

Новый TMR-элемент может стать базой для 10 Гбит MRAM

Источник: nanonewsnet

В коллектив разработчиков вошли специалисты из группы изучения спинтроники Института наноэлектроники при Японском национальном институте и их коллеги из Института передовых наук и технологии (Advanced Industrial Science and Technology, AIST). Предполагается, что полученный TMR-элемент может быть использован для создания MRAM-памяти емкостью 10 Гбит и более.

158765.jpg

В TMR-элементах, создаваемых до сих пор, процесс их миниатюризации сопровождался вынужденным балансированием между величиной тока записи и стабильностью данных. Тонкий намагниченный свободный слой запоминающей ячейки оказывался неустойчив, и мог самопроизвольно изменить свое состояние, особенно часто из-за температурного воздействия. Увеличение толщины свободного слоя позволяло увеличить стабильность элемента, но одновременно требовало и увеличения тока записи.

По данным исследователей, им удалось уйти от вышеописанной зависимости за счет применения комбинации материалов для создания свободного слоя. Композит состоит из немагнитного слоя рутения (Ru), помещенного между двумя ферромагнитными слоями сплава кобальт-железо-бор (CoFeB). Толщина немагнитного слоя подобрана таким образом, что переключение состояния элемента сопровождается перемагничиванием обоих ферромагнитных слоев. В результате сопротивление термическому воздействию удалось увеличить в пять раз, при этом величина тока записи возросла только на 80%.

Пока что трехслойный композит свободного слоя имеет горизонтальное намагничивание, но с целью увеличения плотности записи планируется освоить и вертикальное намагничивание. Исследователи сообщили, что на базе текущего варианта созданного TMR-элемента можно построить MRAM-память емкостью 1 Гбит, а переход на перпендикулярное намагничивание позволит увеличить этот показатель вдесятеро. Для сравнения - объем памяти MRAM в составе выпускаемых в настоящее время чипов не превышает 32 Мбит.

Ссылки по теме


 Распечатать »
 Правила публикации »
  Обсудить материал в конференции Дискуссии и обсуждения общего плана »
Написать редактору 
 Рекомендовать » Дата публикации: 29.01.2010 
 

Магазин программного обеспечения   WWW.ITSHOP.RU
Jira Software Commercial 10 Users
The BAT! Home- 1 компьютер
SmartBear Collaborator - Named User License (Includes 1 Year Maintenance)
Quest Software. TOAD for Oracle Edition
Quest Software. Toad for Oracle Development Suite
 
Другие предложения...
 
Курсы обучения   WWW.ITSHOP.RU
 
Другие предложения...
 
Магазин сертификационных экзаменов   WWW.ITSHOP.RU
 
Другие предложения...
 
3D Принтеры | 3D Печать   WWW.ITSHOP.RU
 
Другие предложения...
 
Новости по теме
 
Рассылки Subscribe.ru
Информационные технологии: CASE, RAD, ERP, OLAP
Мастерская программиста
Краткие описания программ и ссылки на них
Новые программы для Windows
 
Статьи по теме
 
Новинки каталога Download
 
 



    
rambler's top100 Rambler's Top100