(495) 925-0049, ITShop интернет-магазин 229-0436, Учебный Центр 925-0049
  Главная страница Карта сайта Контакты
Рассылки сайта

Direct-write electron beam lithography in silicon dioxide at low energy

Источник: savoirs

Abstract : Electron beam lithography in silicon dioxide has been investigated with energies ranging from 0.5 up to 6 keV. The etch ratio of SiO2SiO2 has been studied and interpreted with regard to the limited penetration of electrons at such low energies. Monte Carlo simulations have been carried out to investigate the depth of penetration and the density of energy absorbed by SiO2SiO2. The etch ratio is also shown to depend on the dilution of the developer (a buffered hydrofluoric acid diluted in water). Finally, a possible application of low energy direct writing in silicon dioxide is described for the control of damascene processes, enabling the fabrication of nanodevices embedded in an insulator.


Файлы для загрузки

 Распечатать »
 Правила публикации »
  Написать редактору 
 Рекомендовать » Дата публикации: 27.01.2021 

Магазин программного обеспечения   WWW.ITSHOP.RU
Traffic Inspector GOLD 5 Учетных записей
ARCHICAD 21, локальная лицензия на 12 месяцев
Delphi Professional Named User
Microsoft 365 Apps for business (corporate)
Другие предложения...
Курсы обучения   WWW.ITSHOP.RU
Другие предложения...
Магазин сертификационных экзаменов   WWW.ITSHOP.RU
Другие предложения...
3D Принтеры | 3D Печать   WWW.ITSHOP.RU
Другие предложения...
Новости по теме
Рассылки Subscribe.ru
Информационные технологии: CASE, RAD, ERP, OLAP
Программирование на Microsoft Access
OS Linux для начинающих. Новости + статьи + обзоры + ссылки
СУБД Oracle "с нуля"
eManual - электронные книги и техническая документация
Adobe Photoshop: алхимия дизайна
Статьи по теме
Новинки каталога Download

rambler's top100 Rambler's Top100