Наблюдательный совет "Российской корпорации нанотехнологий" ("Роснано") одобрил участие корпорации в проекте создания высокотехнологичного предприятия по производству арсенид галлиевых пластин, чипов и оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров.
Основным продуктом проекта будут являться чипы и оптические компоненты на основе вертикально-излучающих лазеров для использования в оптических устройствах высокоскоростной передачи данных для локальных сетей, активных оптических кабелях, суперкомпьютерах, межсоединениях перспективного стандарта USB 3.0, 4.0.
По прогнозам аналитиков корпорации, к 2014 г. мировой рынок оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров достигнет $1,4 млрд, по сравнению с $300 млн в 2008 г., за счет замещения медных межсоединений более скоростными, компактными и помехоустойчивыми оптоволоконными системами.
Для реализации проекта корпорация совместно с разработчиком и владельцем технологий, компанией VI-Systems GmbH (Германия), и внешним финансовым соинвестором организуют в городе Санкт-Петербург совместное предприятие с уставным капиталом 600 млн руб. Доля "Роснано" в проектной компании составит 45,01%, VI-Systems GmbH - 35%, доля соинвестора - 19,99%.
Дополнительно, при успешном выполнении задач первого этапа проекта, "Роснано" предоставит проектной компании заем на сумму до 500 млн руб. на приобретение эпитаксиального оборудования для расширения производства. Суммарные инвестиции в проект достигнут 1,1 млрд руб.
Запуск промышленного производства планируется на второй квартал 2011 г., а выход на проектную мощность - в 2014 г., когда выручка компании превысит 2,3 млрд руб.
Как отметил управляющий директор "Роснано" Константин Деметриу, реализация проекта позволит создать в России компанию, одного из лидеров мирового рынка вертикально-излучающих лазеров, и дать толчок развитию в стране ряда смежных высокотехнологичных производств - от интегральных микросхем до оптических активных кабелей.
Научную поддержку проекту в России будут осуществлять Физико-Технический Институт им. А.Ф. Йоффе (г. Санкт-Петербург) и Институт физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск).